7月11日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布，公司在针对美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research Corporation，又称“科林研发”）提起的侵犯商业机密案中赢得二审胜诉。

  在上海市高级人民法院2023年6月30日的终审判决中，法院命令泛林集团销毁其非法获取的与中微公司等离子刻蚀机有关的一份技术文件和两张照片。法院还禁止泛林集团及泛林集团的两名个人被告披露、使用或允许他人使用中微公司的专有的技术秘密。法院还命令泛林集团为其侵犯商业机密向中微公司支付赔偿金和法律费用。

  中微公司曾于2010年12月向上海市第一中级人民法院提起诉讼，主张泛林集团侵犯中微公司的商业秘密。

  具体来说，中微公司当时主张泛林集团在数年前非法获取了中微公司机密的技术文件和机密的反应腔内部照片。中微公司还主张泛林集团安排其技术专家在证据保全时不恰当地察看和测量中微刻蚀机的内部结构，然后使用获取的信息于2009年1月向台湾智慧财产法院起诉中微专利侵权，试图影响中微产品进入台湾市场。

  资料显示，2009年1月，泛林集团指控中微公司型号为 Primo D-RIE 的等离子蚀刻机侵害它的台湾 TW136706“电浆反应器中之多孔的电浆密封环”和 TW126873“于电浆处理室中大量消除未局限电浆之聚焦环配置 ”。并在在台湾发起了针对中微公司台湾分公司及其关联企业的侵权诉讼。

  随后，中微公司以事实回应泛林的指控并指出泛林所提出的被侵权的根本就是无效的。2009年6月，泛林公司除了仅保留与 TW136706相关的部分侵权主張外，撤回了它其他大多数的侵权主張。台湾智慧财产法院法官在听取双方针对有效性问题辩论后，基于不需要更进一步的調查关于侵权的争议点，在2009年9月8日驳回了该案，并认定泛林集团主张遭到侵害的是无效的。

  这个胜利对中微公司意义重大，并保证了中微公司能够持续在台湾市场布局和推广其技术的产品。

  中微公司董事长兼首席执行官尹志尧博士表示：“中微公司极度重视自主创新和知识产权保护。我们在研发方面大量投入，致力于为我们的全球用户带来创新性的技术和解决方案。与此同时，我们全力保护我们的专有技术与知识产权，我们不容忍侵犯公司商业机密或其他不光彩的行为。本次终审的胜诉判决，再次凸显了中微公司保护自身权益的决心，也展示了监管部门对国内外市场主体一视同仁的公正立场。”

  值得一提的是，在数年前，中微公司在与美国半导体设备厂商Veeco的相关专利侵权诉讼当中也获得胜利。

  中微公司于2017年7月13日向福建省高级人民法院正式起诉维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司（以下简称“Veeco上海”）专利侵权，申请对Veeco上海发布永久禁令，要求禁售相关侵权的MOCVD设备，以及在该等MOCVD设备中使用的基片托盘，并赔偿中微经济损失1亿元人民币以上。

  随后，Veeco上海向国家知识产权局专利复审委员会（以下简称“专利复审委”）提交专利无效宣告请求，主张中微专利无效。另外，还有一位自然人也对该涉案专利提起了无效宣告请求。针对两个请求，专利复审委先后分别开庭审理，并于2017年11月24日驳回了两个无效宣告请求，确认中微专利有效。

  2017年12月8日，中国福建省高级人民法院同意了中微公司针对Veeco上海禁令申请，该禁令立即生效执行，不可上诉。

  据中微半导体官网介绍，刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制作的完整过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。

  中微公司专注于研发干法刻蚀（等离子体刻蚀）设备，用于在晶圆上加工微观结构。干法刻蚀通过等离子释放带正电的离子来撞击晶圆以去除（刻蚀）材料。根据所要去除材料和加工器件结构的不同，可分为电介质刻蚀、导体刻蚀和硅通孔刻蚀。

  新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求（刻蚀均匀性、稳定性和可靠性）慢慢的升高。中微公司凭借一系列刻蚀设备组合处于刻蚀创新技术的前沿，帮助芯片制造商加工10纳米、7纳米甚至5纳米及更先进的微观结构，具有成本优势。

  中微公司自主研发生产的刻蚀设备已被众多领先客户的芯片生产线所采用，用来制造先进的半导体器件，以推动人工智能、机器学习和机器人技术的发展。这些半导体器件还能提供逻辑和存储器，以应用于消费者电子科技类产品、5G网络、功能强大的服务器、无人驾驶汽车、智能电网等领域。

  关键字：编辑：王兆楠 引用地址：中微半导体诉美国半导体厂商侵犯刻蚀机商业机密案，终审胜诉！

  2023年4月，中国上海——全球领先的嵌入式开发软件方案和服务供应商 IAR 与知名芯片设计公司 中微半导体 （深圳）股份有限公司（股票代码688380，以下简称“中微半导”）共同宣布， IAR 最新发布的 IAR Embedded Workbench for Arm 9.32版本已全面支持中微半导 车规级 BAT32A系列 MCU ，将共同助力国产汽车芯片创新研发。 中微半导基于其在 MCU 领域22年技术储备和平台化的资源优势，形成了丰富且完善的汽车芯片产品阵列，可提供多系列高性能、高可靠性及高安全性标准控制芯片。其中 车规级 BAT32A系列 MCU 基于Arm Cortex-M0+/M4内核，具有强大运算性能和大容量存

  天眼查显示，上海理想万里晖薄膜设备有限公司（理想万里晖）日前发生工商变更，理想能源设备（上海）有限公司退出股东行列，新增中微半导体设备（上海）股份有限公司（中微公司）等股东。另外，该公司的注册资本由8455.3348万人民币增至1.46亿人民币，增幅为73.17%。 图源：天眼查 据悉，中微公司的持股比例微3.85%，出资563.689万元。 公开资料显示，理想万里晖于2013年5月21日在自贸区市场监督管理局登记成立。法定代表人孙曦东，公司营业范围包括薄膜、光伏电池、平板显示屏生产专用设备的研究等。 中微公司是我国集成电路设备行业的领先企业，目前开发的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主，并已

  设备商理想万里晖 /

  LED芯片以及功率器件等半导体器件的制作的完整过程中广泛采用MOCVD工艺，如上图，为MOCVD设备的结构示意图，该设备的主体由反应腔体100构成，腔体内的底端设置有托盘110，托盘上放置有待加工的基片10。托盘下方通过一个驱动装置驱动进行旋转，同时下方设置有加热器114，使得托盘可以加热到需要的温度。 用于形成LED器件的导体材料层通常由晶体的氮化镓构成，但是现存技术常用的基片材料通常是有晶体氧化铝(Al2O3)构成。两者之间的晶体结构相差巨大，晶格不匹配，所以要在基片上首先生长多层的缓冲层（通常是氮化铝AlN）才能最终生长生产LED所需要的GaN材料层。但是在缓冲层厚度慢慢增长过程中，缓冲层内会产生很大的应力，AlN生长到一定厚度

  发明基片上生长缓冲层方案 /

  7月29日，金桥股份举行上海金桥综合保税区关键研发技术企业集中签约仪式，6家重点企业总投资额达12.8亿元。其中，主攻第三代氮化镓材料及5G射频器件的芯跃半导体入驻金桥综保区，安集微电子、中微半导体将在金桥综保区扩产。 金桥综保区2020年4月正式揭牌，是浦东新区第一个成功转变发展方式与经济转型为综合保税区的海关特殊监管区域。园区围绕汽车零部件、高端机械制造、关键半导体材料研发和产业化集聚了一批骨干企业。

  作为全球头号代工厂，台积电的新工艺正在一路狂奔，7nm EUV极紫外光刻工艺已完成首次流片，5nm工艺也将在2019年4月开始试产。 不过众所周知，半导体工艺是一项集大成的高精密科技，新工艺也并非台积电自己完全搞定，而是依赖整个产业链的设备和技术供应，比如大家比较熟悉的光刻机，就普遍来自荷兰ASML。 据了解， 在台积电的5nm生产线中，就将有来自深圳中微半导体的5nm等离子体蚀刻机，自主研发，近日已经通过了台积电的验证。 中微半导体与台积电在28nm工艺世代就已经有合作，10nm、7nm工艺也一直延续下来，如今又顺利挺进最先进的5nm。 据介绍， 等离子体刻蚀机是芯片制造中的一种关键设备，用来在芯片上进行微观

  半导体制造设备及服务供应商泛林集团携旗下顶尖半导体制造工艺与技术亮相中国半导体行业顶级盛事SEMICON China 2021，与来自行业各界的专业技术人员齐聚沪上，共话新常态下半导体产业的发展的新趋势。 把握变局机遇，探索产业变革趋势 在大会开幕式上，来自全球的半导体业界领袖就全球产业格局、技术发展与市场走向等热门话题发表了真知灼见。泛林集团总裁兼首席执行官Tim Archer先生受邀发表了开幕致辞，分享了他对全球半导体行业尤其是中国市场的前沿洞察。 他表示，随着对半导体技术的需求在全球各行业领域内的不断攀升，整个行业正在面临前所未有的广阔前景。在诸多领域，“中国都是全球最大

  亮相SEMICON China，探索产业新趋势 /

  泛林集团旗下GAMMA®系列干式光刻胶剥离系统推出最新一代产品，将该系列GxT®系统晶圆加工能力从300mm拓展至200mm。作为专供特种技术市场的产品，GAMMA GxT系统在相关应用中体现出了极高的可靠性、生产率和灵活性。 光刻胶剥离过去一直被认为是技术上的含金量较低的工艺。然而，随着3D架构、双重图形化技术、多层罩式掩膜和高剂量植入剥离(HDIS)等新技术的出现，光刻胶剥离工艺的复杂度也在不断的提高。目前来看，在300mm晶圆领域的高级存储和逻辑节点上，很多需求已经或正在得到解决。然而，针对特种技术200mm晶圆的工艺挑战，包括射频滤波器、电源、读出磁头和数字打印等，很多领先的设备代工厂和制造商并没有有效的解决方案。300mm和

  全新光刻胶剥离技术，可提高生产率和灵活性 /

  记者从中微半导体官方微信获悉，国家知识产权局专利复审委（简称“专利复审委”）于11月24日作出审查决定，否决了维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司（简称“Veeco上海”）关于中微半导体专利无效的申请，确认中微半导体起诉Veeco上海专利侵权的涉案专利为有效专利。 本月初，有新闻媒体报道，美国MOCVD（金属有机物气相沉积设备）设备厂Veeco宣布，美国纽约东区地方法院同意了其针对SGLCarbon，LLC（SGL）的一项初步禁令请求，禁止SGL出售采用Veeco专利技术的MOCVD使用的晶圆承载器（即石墨盘），包括专为中国MOCVD设备商中微半导体设计的石墨盘。 伴随消息发酵，该事件也在A股引起波动，22日，买进口MOCVD设

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