线上直播 氙离子FIB在半导体及其他范畴的使用共享
2、因为表现在芯片外部的封装工艺研讨在芯片产业链中的重要性进一步得到表现；更为先进的封装技能、更高效的封装计划，必定会助推芯片职业更逐渐开展，而3D IC 等新技能的开展使咱们能将芯片集成到越来越小、更快、更低的功耗设备中。TESCAN将高通量 i-FIB+™ Xe 等离子 FIB镜筒与 Triglav ™ UHR 电子镜筒配对，以扩展 FIB 物理失效剖析功能，并在超大面积和深度横截面加工完结打破。
◼从专业视角解读怎么经过超大面积和深度横截面加工助力先进封装、微机电器材和光电集成产品的剖析检测作业
◼无镓(Ga)污染TEM样品制备、小于10纳米制程芯片的高质量逐层剥离（delayering），和大标准硅片晶圆导航观测，以完结微电子器材的高集成度、高密度和小型化。
◼与传统的液态金属Ga离子FIB比较，Xe等离子体FIB的某些技能特色和在不相同的范畴的使用：如半导体失效剖析，金属资料，锂电池等等，以及Xe等离子体FIB与其它附件（拉曼图画-RISE、TOF-SIMS）联用的一些实例，比方，完结原位的微区阴险剖析表征。
全球首家将等离子 FIB 集成到扫描电子显微镜（SEM）中的制造商，并于2019年末推出了新一代的 TESCAN AMBER X 和 TESCAN SOLARIS X。其间 TESCAN AMBER X 完美地结合了可用于样品准确加工的氙等离子体 FIB 和无漏磁的超高分辩成像的 SEM，适合于各类资料的显微结构表征。氙等离子体 FIB 与传统的金属镓离子的 FIB 比较，在小束斑的大离子束流上有着十分显着的优势。因而，TESCAN AMBER X 可以用更快的速度完结样品切削作业，而且依然能完结精密加工和抛光，并完结15 nm的高分辩率成像。
